旭エレクトロニクス（株） GIGABYTE NVMe Gen4 M.2 GPASM2NE6100TTTD の価格比較

■フォームファクタ: M.2 2280■インターフェース: PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.3■容量: 1TB■NAND : 3D TLC Toshiba BiCS4■Sequential 読み込み : 最大 5000 MB/s■Sequential 書き込み : 最大 4400 MB/s■TRIM & S.M.A.R.T 対応■全面銅製ヒートシンク形状■最先端 PCIe 4.0 x4 コントローラー最先端の PCIe 4.0 x4 コントローラである Phison PS5016-E16 は 28nm 製造技術により製造されています。 最新の 3D TLC NAND フラッシュ を採用し、高度な製造プロセスにより、PS5016-E16 は ECC 処理に十分な処理能力を備えています。 PS5016-E16 は、32個の CE ターゲットを持つ8個の NAND チャネル、DDR4 DRAM キャッシュ、および PCIe 4.0 x4 インターフェイスも備えています。 機能に関しては、NVMe 1.3プロトコル、LDPC エラー訂正、および Wear Leveling、オーバープロビジョニング技術に対応しています。■TOSHIBA BiCS4 96 層 3D TLC (800MT/s)Toshiba BiCS4 NAND Flash は、単位面積あたりの記憶スペースを増やすために96層であり、回路とアーキテクチャが最適化されています。 AORUS NVMe Gen. 4 SSD の 800 MT/s スループットは、優れたストレージ・パフォーマンスのために、PCIe 3.0 x4 デバイスのスループットをはるかに上回ります。 ■超高性能ストレージ新しい PCIe 4.0 コントローラを搭載した AORUS NVMe Gen. 4 SSD は、最大 5,000 MB/s のシーケンシャル・リード、 および最大 2,500 M/s のシーケンシャル・ライトを実現します。PCIe 4.0 SSD のシーケンシャル読み/書きパフォーマンスは、 PCIe 3.0 SSD よりも最大40％高速です。より速く、より滑らかな、ゲーム、ストリーミング、そしてグラフィックを多用するレンダリングなど、 次世代の性能を体験しましょう。 ■全面銅製ヒートシンク形状による圧倒的放熱性全面銅製ヒートシンクは、デバイスの前面と背面の両主要コンポーネント、コントローラ、および NAND フラッシュからの熱伝達を考慮に入れています。 全面銅製ヒートシンクは、アルミ製ヒートシンクと比較して69％高い熱伝達能力を持ち、AORUS NVMe Gen 4 SSD は最高の放熱性を発揮します。 ■商品の仕様・デザイン・付属品・マニュアル言語（ベース英語）等は予告なく変更になる場合がございます。※詳細につきましてはメーカー及び代理店ページをご確認ください。尚、変更に伴うご返品、ご返金につきましてはお受けできません。■リビジョン等の指定でのご発送はできません。本体サイズ(幅×高さ×奥行)mm80.5x11.4x23.5容量1TBSSD/M.2 2280/1TB/メーカー保証付