ＩＴＧマーケティング（株） Samsung 1TB 850 EVO ベーシックキット MZ-75E1T0B/IT の価格比較

３Ｄ　Ｖ−ＮＡＮＤ×ターボライトテクノロジーで圧倒的な高速パフォーマンスを実現するＳＳＤ●ターボライトテクノロジーによる圧倒的なパフォーマンスＮＡＮＤフラッシュの予備領域を高速バッファとして使用する「ターボライトテクノロジー」により、シーケンシャル読み出しは最大５４０ＭＢ／ｓ、シーケンシャル書き込みは最大５２０ＭＢ／ｓを実現。１２０ＧＢモデルにおいては、前モデル８４０ＥＶＯと比べてランダム書き込みのパフォーマンスを約２．４倍（※）向上しました。※８４０ＥＶＯ　１２０ＧＢモデルの４ＫＢランダム書き込み３６０００ＩＯＰＳと比較。●微細化プロセス制限の壁を打ち破った新技術「Ｓａｍｓｕｎｇ　３Ｄ　Ｖ−ＮＡＮＤ」従来の平面ＮＡＮＤフラッシュの微細化プロセスは、セル間の信号干渉などの物理的な問題の克服が極めて困難で、１０ｎｍ台プロセスが限界と言われています。加速度的に増大する大容量化と信頼性の両立への要求。この困難な課題にあたり、サムスンはセルを「Ｖｅｒｔｉｃａｌ」、つまり立体化して積み重ねることで解決しました。３Ｄ　Ｖ−ＮＡＮＤの垂直に積層されたセル構造により、セル間の信号干渉を事実上排除します。●超高速化機能「エンハンスドＲＡＰＩＤモード」パソコン内メインメモリの空き容量をキャッシュとして利用することで、ストレージ性能の大幅な向上を実現するＲＡＰＩＤモード（※１）が、Ｓａｍｓｕｎｇ　Ｍａｇｉｃｉａｎ　Ｓｏｆｔｗａｒｅの最新バージョン４．５において８５０ＥＶＯに最適化。パソコン内メインメモリの最大２５％まで（※２）キャッシュとして利用でき、あらゆるランダム性能において２倍（※３）の高速性能を実現しました。※１：ＲＡＰＩＤモードは専用ユーティリティソフトウエア「Ｓａｍｓｕｎｇ　Ｍａｇｉｃｉａｎ　Ｓｏｆｔｗａｒｅ」にて設定。※２：メインメモリが１６ＧＢの場合、４ＧＢまでキャッシュとして利用可能。※３：ベンチマークソフトＰＣＭＡＲＫ７において、２５０ＧＢモデルで計測した場合のスコアが７５００（ＲＡＰＩＤモード無効）から１５０００（ＲＡＰＩＤモード有効）に向上。●さらに進化した省エネ設計デバイススリープモード（ＤＥＶＳＬＰ）をサポートし、待機時消費電力はわずか５０ｍＷ。また、ＤＲＡＭキャッシュメモリにも省エネ対応品を採用し、前モデル８４０　ＥＶＯと比べ動作時２５％（※）の節電を実現しました。※８４０ＥＶＯ　２５０ＧＢモデルの消費電力（動作時）３．２Ｗと８５０ＥＶＯ同容量モデルの消費電力（動作時）２．４Ｗと比較。●安心のセキュリティ機能ＳＳＤ内の全データをＡＥＳ２５６ｂｉｔで暗号化。コントローラによるハードウエア制御のため、暗号化による速度低下がありません。パソコンのＢＩＯＳのパスワード設定でセキュリティ有効にする「Ｃｌａｓｓ　０」、専用ソフトウエアで高度なセキュリティ設定が可能な「ＴＣＧ／Ｏｐａｌ　ｖ２」、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ　ＢｉｔＬｏｃｋｅｒドライブ暗号化（※１）に対応した「ｅＤｒｉｖｅ（Ｅｎｃｒｙｐｔｅｄ　Ｄｒｉｖｅ）」と３つのセキュリティモードをご用意。用途に合わせてお選びいただけます。万が一パソコンを紛失した場合でもあなたの大切なデータをしっかり守ります。※１：Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ　ＢｉｔＬｏｃｋｅｒドライブ暗号化機能はＷｉｎｄｏｗｓ　８およびＷｉｎｄｏｗｓ　Ｓｅｒｖｅｒ　２０１２にてサポートされています。※「Ｃｌａｓｓ　０」、「ＴＣＧ／Ｏｐａｌ　ｖ２」、「ｅＤｒｉｖｅ」を同時に有効にすることはできません。●ダイナミックサーマルー機能搭載ＳＳＤ内部に実装された温度センサーが内部温度を監視。７０℃を超える異常高温環境になると転送速度を落とし、過酷な環境下でもＳＳＤの熱暴走とデータ破損を阻止します。●キーデバイスのすべてを内製し、パフォーマンスと信頼性を両立ＳＳＤのキーデバイスであるＮＡＮＤフラッシュ、コントローラ、ファームウェア、ＤＲＡＭのすべてに世界最高水準のテクノロジーを注ぎ込み、自社内で開発から生産までを完結。サムスンは、この４つのキーデバイスすべてを自社で製造している数少ないメーカーの１つです。 商品のレビュー 登録されたレビューはありません。